國(guó)產(chǎn)可控硅100-8 晶閘管 MCR100-8 SOT-23-3L 貼片可控硅

• 來(lái)源：宇芯電子 更新時(shí)間：2020-11-04 10:03:38點(diǎn)擊：6次

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  國(guó)產(chǎn)可控硅100-8 晶閘管 MCR100-8 SOT-23-3L 貼片可控硅

  
  

  
  

  貼片可控硅 MCR100-8的引腳圖：

  

  
  

  
  

  貼片可控硅 MCR100-8的應(yīng)用領(lǐng)域：
  

          MCR100-8單向可控硅應(yīng)用于：脈沖點(diǎn)火器、負(fù)離子發(fā)生器、邏輯電路驅(qū)動(dòng)、彩燈控制器、漏電保護(hù)器、吸塵器軟啟動(dòng)...

  
  

  
  

  貼片可控硅 MCR100-8的特點(diǎn)：
  

  • PNPN 四層結(jié)構(gòu)的硅單向器件

  • 門(mén)極靈敏觸發(fā)

  • P 型對(duì)通擴(kuò)散隔離

  • 臺(tái)面玻璃鈍化工藝

  • 背面多層金屬電極

  • 符合 RoHS 規(guī)范

  • 封裝形式：SOT-23-3L
    

  
  

  
  

  貼片可控硅 MCR100-8的極限參數(shù)(T_CASE=25℃)：

  • 斷態(tài)重復(fù)峰值電壓 V_DRM/V_RRM --------------------------------------------  600/800V

  • 通態(tài)均方根電流 I_T(RMS) -----------------------------------------------------  0.8A

  • 通態(tài)平均電流 I_T(AV) ---------------------------------------------------------  0.5A

  • 通態(tài)不重復(fù)浪涌電流 I_TSM --------------------------------------------------  8A

  • 通態(tài)電流臨界上升率 dI_T/dt -------------------------------------------------  50A/μs

  • 門(mén)極峰值電流 I_GM -----------------------------------------------------------  0.2A

  • 門(mén)極峰值功率 P_GM ----------------------------------------------------------  0.5W

  • 門(mén)極平均功率 P_G(AV) --------------------------------------------------------  0.1W

  • 存儲(chǔ)溫度 T_STG ---------------------------------------------------------------  -40~+150℃

  • 工作結(jié)溫 T_j ------------------------------------------------------------------  -40~+110℃
    

  
  

  
  

  貼片可控硅 MCR100-8的電特性：
  

  符號(hào)	參數(shù)	最小值	最大值	單位
  IGT	門(mén)極觸發(fā)電流	10	200	μA
  VGT	門(mén)極觸發(fā)電壓		0.8	V
  VGD	門(mén)極不觸發(fā)電壓	0.2
  IH	維持電流		3	mA
  IL	擎住電流		4
  dVD/dt	斷態(tài)電壓臨界上升率	10		V/μs
  VTM	通態(tài)壓降		1.5	V

  
  

  
  

  貼片可控硅 MCR100-8的參數(shù)特性曲線：

  

  
  

  
  

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