2A小電流可控硅 BT132 雙向可控硅數(shù)據(jù)參數(shù)

• 來源：宇芯電子 更新時間：2020-07-15 14:48:45點擊：6次

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  2A小電流可控硅 BT132 雙向可控硅數(shù)據(jù)參數(shù)

  
  

  
  

  小電流可控硅 BT132的應用領域：

          BT132可控硅應用于：加熱控制器、彩燈控制器、攪拌機、面包機、卷發(fā)器、電風扇調速器等。

  
  

  
  

  小電流可控硅 BT132的引腳圖：

  

  
  

  
  

  小電流可控硅 BT132的特點：

  • NPNPN 五層結構的硅雙向器件

  • P 型對通擴散隔離

  • 臺面玻璃鈍化工藝

  • 背面多層金屬電極

  • 符合 RoHS 規(guī)范

  • 封裝形式：TO-92
    

  
  

  
  

  小電流可控硅 BT132的極限參數(shù)(T_CASE=25℃)：

  符號	參數(shù)	數(shù)值	單位
  VDRM/VRRM	斷態(tài)重復峰值電壓	600/800	V
  IT(RMS)	通態(tài)均方根電流	2	A
  ITSM	通態(tài)不重復浪涌電流	16
  I2t	I2t值	2.6	A2s
  dIT/dt	通態(tài)電流臨界上升率 I-II-III	50	A/μs
  	通態(tài)電流臨界上升率 IV	10
  IGM	門極峰值電流	1	A
  PGM	門極峰值功率	4	W
  PG(AV)	門極平均功率	0.5
  TSTG	存儲溫度	-40~+150	℃
  TJ	工作結溫	-40~+125

  
  

  
  

  小電流可控硅 BT132的電特性：

  符號	參數(shù)	數(shù)值		單位
  		D	E
  IGT	門極觸發(fā)電流 I-II-III	≤4	≤5	mA
  	門極觸發(fā)電流 IV	≤7	≤10
  VGT	門極觸發(fā)電壓	≤1.3		V
  VGD	門極不觸發(fā)電壓	≥0.2
  IH	維持電流	≤6	≤10	mA
  IL	擎住電流 I-III-IV	≤10	≤15
  	擎住電流 II	≤15	≤20
  dVD/dt	斷態(tài)電壓臨界上升率	≥10	≥20	V/μs
  VTM	通態(tài)壓降	≤1.55		V
  IDRM/IRRM	斷態(tài)重復峰值電流 VD=VDRM/VRRM,Tj=25℃	≤5	≤5	μA
  	斷態(tài)重復峰值電流 VD=VDRM/VRRM,Tj=125℃	≤200	≤200

  
  

  
  

  小電流可控硅 BT132的熱阻：

  符號	參數(shù)	數(shù)值	單位
  Rth(j-c)	結到管殼的熱阻(AC)	60	℃/W
  Rth(j-a)	結到環(huán)境的熱阻	150

  
  

  
  

  小電流可控硅 BT132的封裝外形尺寸：

  

  
  

  
  

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